Ontem, a Samsung, anunciou o desenvolvimento do primeiro módulo de memória flash com uma capacidade de 32 Gbits, ou seja, 4 GB, gravado em 40 nanômetros.
De acordo com a companhia coreana, esta inovação permitirá a oferta de cartões de memória dotados de capacidades de 64 GB ou mais, esta é apenas uma transição. Próxima etapa: a passagem para os 20 nanômetros, para módulos de memória de 256 Gbits (32 GB).





