Nanómetros: Processo de fabrico.

[Kispo]

Espera... O que é um átomo com excesso de electrões?

É um anião... ou seja atrai electroes de outros atomos para si. Isto devido a sua elevada electronegatividade ("sede de e-")

[Bad_Cop]

É um anião... ou seja atrai electroes de outros atomos para si. Isto devido a sua elevada electronegatividade ("sede de e-")

nao te enganas-te? se tem mais electros, tem tendencia a cedelos para ficar estavel.

[HidEaL]

É um anião...

Sim é um anião, ok... Mas para quem não entendeu, eu "respondi" à minha própria pergunta, não estava à espera de resposta.

Cumps.

[Bad_Cop]

sim, ele contradisse-se:

n são os iões mas sim atomos com exesso de electrões ou exesso de lacunas

é exatamente a mm coisa.

EDIT: coorigido o erro autografico, agradecido pela correcção ao alfatek.

[Kispo]

É um anião... ou seja atrai electroes de outros atomos para si. Isto devido a sua elevada electronegatividade ("sede de e-")

nao te enganas-te? se tem mais electros, tem tendencia a cedelos para ficar estavel.

Tipo um atomo komo o Cl ou Br ou I (7 electroes de valencia neste caso)etc... não têm a sua ultima orbital preenchida, consequentemente vai captar e-s (no caso dos halogenios capta 1e-), fikando com excesso em relação à sua forma atomica...

Hideal é só pk não resisti. pa semana tenho exame de quim. organica. era pa ver se descarregava um pouco.

[Bad_Cop]

mas o cl- o br- e o i- nao têm mais tendencia a perder ess e- do que a ganhar outro? pah eu só tenhu qimica do 12º, mas deu-me a sensaçao que te tinhas trocado, se nao entao nao há problema, sou eu que tou a fazer confusao.

[alfatek]

sim, ele "contradizeu-se" (nao consigo fazer a palvra corretamente):

contradisse-se

- http://www.priberam.pt/dlpo/ > contradizer > conjugar
http://ciberduvidas.sapo.pt/php/respost ... ontradizer

Parabens ao autor do artigo que está mt bom, há algumas partes que deviam ser melhoradas (estão confusas) mas o essencial está lá.

[DJTDias]

É verdade os gurus podiam todos apresentar assim uma thread/tese de mestrado


Um aniao não é um atomo com tendencia a ganhar electroes, mas sim um atomo que passou a ião negativo devido ao ganho de electroes.

É q para quimica hoje é comigo(muito estudo...LOL), aqui é só físicos !


BTW


Noticia muito interessante, o Andre Oliveira(pelo menos tem nome igual e tambem estudou engªaerospacil) penso q deste forum, deu uma entrevista á noticias sabado ! Sobre engª aerospacial e programas do tipo.

[Kispo]

Um aniao não é um atomo com tendencia a ganhar electroes

ainda não vi aki ninguem a dizer k um aniao é um atomo kom tendencia a ganhar e-s mas pronto....

Btw com esta evolução toda, kk dia em vez de nos referirmos ao processo de fabrico em termos de nm, passamos a utilizar o termo angstron.... já vamos em 65nm... se xegarmos aos 9nm possivelmente o nome comercial passa a ser de 90Aº E eu k ainda tenho um em casa de 240nm se não me engano lol.

[Nelson_]

Vamos lá à aula de fisica...

Bom, que confusão vai nessas cabeças. Quero ver esses testes de fisica e quimica...

Bom, eu posso ajudar. Acho que percebo qq coisa sobre isto.

Bom, primeiro que tudo, átomos com electrões a mais são aniões e não atomos, ou iões com carga negativa. Os catiões ou iões de carga positiva são os coitadinhos que perderam pelo menos um electrão de valência. Todos os átomos podem ganhar ou perder electrões, basta dar as energias certas a esses malandros (todos sabem que os electrões estão em bandas de energia, certo?)

Silício cristalino (os nossos chips, ) é uma rede cristalina tetraedrica de Si cujas ligações são covalentes do tipo sp3. São ligações iguais às do diamante. Na prática os átomos formam uma estrutura cúbica, muito forte.

O sílicio é um semicondutor intrinseco, ou seja, tem uma condutividade electrica entre os isoladores (maus condutores) e os metais (bons condutores) somente pelas suas caracteristicas fisicas proprias. Para se tornarem condutores basta aplicar um campo electrico à rede cristalina (fazer passar electrões, electricidade, através da rede cristalina). Estes electrões que passam fazem saltar um electrão das ligações de Si e então começa a dar-se a condutividade através dos Si da rede cristalina (este passo foi simplificado). Voilá!!!!

Mas para diminuir o campo electrico a aplicar ao nosso chip, vai-se proceder a uma dopagem do silício.

Dopagem do silício - Bombardear o cristal de Si com ÁTOMOS de outros elementos (e não iões), para tornar o cristal de Si "mais condutor". Assim o silício torna-se num semicondutor extrinseco, ou seja, as suas caracteristicas de semicondutor dependem de factores exteriores provocados.

Semicondutores extrinseco de Si do tipo n (tipo negativo) - O Si é bombardeado com átomos do grupo 15 (fósforo por ex.) e estes átomos substituem o Si na rede cristalina. Sendo o Si do grupo 14, tem menos um electrão de valência que o fosforo (P). Assim, fica um electrão não ligante prontinho para saltar com a aplicação de um campo electrico mais baixo que no Si puro. A energia para fazer saltar este electrão corresponde a 5% da energia necessária para o silício puro. Fantástico!!! O fósforo que fica sem o seu "precioso" fica carregado positivamente, pronto, o resto já sabem.
Estes semicondutores são chamados do tipo n (negativos) porque os principais transportadores de carga são electrões que andam a saltitar na rede cristalina.

Semicondutores extrínsecos de Si do tipo p (tipo positivo) - O bombardeamento (tipo pearl harbor, 2ª guerra mundial), é feito com elementos do grupo 13 (o boro por ex.) e tal como no fósforo vai substituir um Si na rede cristalina. Mas, eis que tragédia, o boro tem um electrão de valência a menos que o Si. A rede cristalina fica com um buraco nas suas ligações covalentes. Se aplicarmos um campo electrico nesta treta toda, um electrão vizinho desta ligação com buraco (cada ligação covalente deve ter 2 electrões) vai saltar para este buraco, tapando este mas abrindo outro... E assim sucessivamente. A energia necessária para este processo é sensivelmente igual ao do tipo n, mas muito ligeiramente superior.
São do tipo p (positivo) porque os transportadores maioritarios neste caso são os buracos (cargas positivas) na estrutura de ligações de valência.

Sei que agora fui um pouco chato, mas tentei sintetizar ao máximo. Espero que tenham percebido.

Cumps

[HidEaL]

Bem, então está esclarecido e tenho que alterar o texto em ÁTOMOS onde diz IÕES... (Nelson_, btw, usar BOM em 3 parágrafos seguidos foi no mínimo cómico.. ficou BOMBOMBOM ).

Para esclarecer de onde veio a confusão:

In an operation called "doping," the exposed areas of the silicon wafer are bombarded with various chemical impurities called "ions," which provide positive and negative charges, thereby altering the way the silicon in these areas conducts electricity.

Este texto é da Intel, e está no site da Intel, onde me baseei já que não conhecia o processo de dopagem em detalhe. E lá estão os iões entre aspas (possivelmente porque não são os iões a ser bombardeados, mas pronto) Portanto optei por uma explicação simples (igual a esta, portanto), que não influênciava em nada a explicação acerca dos nanómetros. Mas pronto, vou alterar e por átomos.

Parabens ao autor do artigo que está mt bom, há algumas partes que deviam ser melhoradas (estão confusas) mas o essencial está lá.

Thx alfa. Mas já agora, se não for pedir muito, diz-me onde te parece que possam haver melhoramentos, para que se façam

Cumps.

[Nelson_]

Bem, então está esclarecido e tenho que alterar o texto em ÁTOMOS onde diz IÕES... (Nelson_, btw, usar BOM em 3 parágrafos seguidos foi no mínimo cómico.. ficou BOMBOMBOM ).

Não me tinha apercebido, hehehe.

Pois é, foi como disse, sei que fui um bocado chato, mas a verdade é que já se especulava tanto sobre o processo de dopage... Não resisti... Foi mais forte que eu...

Eles lá na Intel não são muito correctos, é verdade. Mas as aspas nos iões da-lhes o perdão pelo erro.

Como já foi dito e muito bem, as impurezas são introduzidas no silicio sob forma gasosa. Porquê? Para atomizar as impurezas e se "entranharem" no chip.

HidEaL, se quiseres podes aproveitar esta info suplementar, mas se deixares estar o teu topico, cool. Está muito bem feito. Também aprendi coisas que não sabia com ele. Também voto pelo sticky.

Cumps

[HidEaL]

HidEaL, se quiseres podes aproveitar esta info suplementar, mas se deixares estar o teu topico, cool. Está muito bem feito. Também aprendi coisas que não sabia com ele. Também voto pelo sticky.

Vou aproveitar a info suplementar sim, mas não alterando o texto inicial, porque o inicial refere-se aos nanómetros no processo de fabrico, e portanto não vale a pena entrar em detalhes do doping ali. Por isso ponho referência a esta página deste tópico, e ao teu post, para quem quiser consultar em mais detalhe.

Cumps.

[Nelson_]

HidEaL, se quiseres podes aproveitar esta info suplementar, mas se deixares estar o teu topico, cool. Está muito bem feito. Também aprendi coisas que não sabia com ele. Também voto pelo sticky.

Vou aproveitar a info suplementar sim, mas não alterando o texto inicial, porque o inicial refere-se aos nanómetros no processo de fabrico, e portanto não vale a pena entrar em detalhes do doping ali. Por isso ponho referência a esta página deste tópico, e ao teu post, para quem quiser consultar em mais detalhe.

Cumps.

Excelente. Tu mandas!!!

Cumps

[Jet_Black82]

Xiiiii ganda confuzão pá, desculpem la o tempo k demorei a responder, ultimamente tenhu vindo ca so kuando o rei faz anos .... desculpem la se vos confundi em alguma parte do meu post, mas o Nelson_ fez kestão d esclarecer o mal entendido duma forma muito mais clara do k alguma vez conseguiria, entretanto, gostava de apelar novamente para o sticky pois o post pode abrir algumas cabeças.

Cumps Jet